RSD201N10TL
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | RSD201N10TL |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 20A CPT3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | CPT3 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 20A, 10V |
Verlustleistung (max) | 850mW (Ta), 20W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 20A (Tc) |
Grundproduktnummer | RSD201 |
RSD201N10TL Einzelheiten PDF [English] | RSD201N10TL PDF - EN.pdf |
ROHM TO252
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MOSFET N-CH 60V 22A CPT3
ROHM TO252
ROHM SOT-252
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ROHM TO-252
MOSFET N-CH 45V 20A CPT3
MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
ROHM TO-252
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RSD201N10TLRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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